logo
Các sản phẩm
Chi tiết sản phẩm
Nhà > Các sản phẩm >
GaN Power Amplifier 50W 6500-7200MHz Integrated Signal Generator High Stability RF Power Module cho hệ thống tín hiệu không dây

GaN Power Amplifier 50W 6500-7200MHz Integrated Signal Generator High Stability RF Power Module cho hệ thống tín hiệu không dây

MOQ: 1
Giá: $220
Thông tin chi tiết
Nguồn gốc
Quảng Đông, Trung Quốc
Hàng hiệu
TTSK
Số mô hình
TTSK-TG-GaN-50W
Kiểu:
Mô-đun RF
Loại nhà cung cấp:
nhà máy trực tiếp
Loại ứng dụng:
chống máy bay không người lái
Loại giao diện:
SMA
Nhiệt độ hoạt động:
-20 ~ 85
Tiêu thụ điện năng:
50W
Kích thước:
132*53*17, 132*53*17
Điện áp - Nguồn cung cấp:
>4A@+28VDC
Bảo hành:
1 năm
Dải tần số:
6500-7200 MHz
Điện áp hoạt động:
28V
Công suất đầu ra:
50W
Hiệu quả:
28%
sóng hài:
10dBc
Phát xạ giả:
60dBc
Đầu vào VSWR:
2:1
Kết nối đầu ra RF:
SMA
Mô tả sản phẩm
GaN Power Amplifier 50W 6500-7200MHz Integrated Signal Generator High Stability RF Power Module cho hệ thống tín hiệu không dây
Thông số
Đơn vị
Tối thiểu.
Điển hình
Tối đa.
Ký hiệu
Tần số hoạt động
MHz
6500–6700, 6700–6900, 6900–7200
Băng thông
MHz
-
200
-
BW
Công suất đầu ra đỉnh (tín hiệu CW)
W
-
50
-
PSAT
Hiệu suất
%
-
28
-
EFF
Hài âm (lần 1–N, @70W)
dBc
10
-
-
HN
Phát xạ giả
dBc
60
-
-
Spur
VSWR đầu vào
-
-
-
2:1
VSWR
VSWR đầu ra
-
-
-
2:1
VSWR
Điện áp hoạt động
V
28
-
-
VDC
Tiêu thụ dòng điện
A
5.5
-
-
IDC
Thông số
Đơn vị
Điển hình
Cân nặng
kg
0.4
Kích thước
mm
132 × 53 × 17
Đầu nối RF
-
Đầu ra RF: SMA female
Đầu nối DC
-
Nguồn điện: Tụ lọc đầu vào đực
Phương pháp làm mát
-
Yêu cầu tản nhiệt ngoài
GaN Power Amplifier 50W 6500-7200MHz Integrated Signal Generator High Stability RF Power Module cho hệ thống tín hiệu không dây
GaN Power Amplifier 50W 6500-7200MHz Integrated Signal Generator High Stability RF Power Module cho hệ thống tín hiệu không dây
GaN Power Amplifier 50W 6500-7200MHz Integrated Signal Generator High Stability RF Power Module cho hệ thống tín hiệu không dây
GaN Power Amplifier 50W 6500-7200MHz Integrated Signal Generator High Stability RF Power Module cho hệ thống tín hiệu không dây
GaN Power Amplifier 50W 6500-7200MHz Integrated Signal Generator High Stability RF Power Module cho hệ thống tín hiệu không dây
GaN Power Amplifier 50W 6500-7200MHz Integrated Signal Generator High Stability RF Power Module cho hệ thống tín hiệu không dây
Hỏi đáp

Tiêu chí lựa chọn transistor khuếch đại công suất là gì?

Phù hợp băng tần, công suất, điện áp/dòng điện và vỏ bọc; Vật liệu phổ biến: GaN, LDMOS.

Làm thế nào để đáp ứng các yêu cầu ứng dụng khác nhau?

5G yêu cầu độ tuyến tính cao và băng thông rộng; radar ưu tiên phản hồi xung và độ ổn định; thiết bị công nghiệp nhấn mạnh tản nhiệt và độ tin cậy. Các giải pháp được tùy chỉnh cho các tình huống cụ thể (trạm gốc, vệ tinh, v.v.).

Làm thế nào để đạt được khả năng tương thích đa băng tần?

Điều này đạt được thông qua thiết kế mạch phối hợp băng rộng hoặc các giải pháp mô-đun, tùy chỉnh theo yêu cầu tần số của khách hàng.
Các sản phẩm
Chi tiết sản phẩm
GaN Power Amplifier 50W 6500-7200MHz Integrated Signal Generator High Stability RF Power Module cho hệ thống tín hiệu không dây
MOQ: 1
Giá: $220
Thông tin chi tiết
Nguồn gốc
Quảng Đông, Trung Quốc
Hàng hiệu
TTSK
Số mô hình
TTSK-TG-GaN-50W
Kiểu:
Mô-đun RF
Loại nhà cung cấp:
nhà máy trực tiếp
Loại ứng dụng:
chống máy bay không người lái
Loại giao diện:
SMA
Nhiệt độ hoạt động:
-20 ~ 85
Tiêu thụ điện năng:
50W
Kích thước:
132*53*17, 132*53*17
Điện áp - Nguồn cung cấp:
>4A@+28VDC
Bảo hành:
1 năm
Dải tần số:
6500-7200 MHz
Điện áp hoạt động:
28V
Công suất đầu ra:
50W
Hiệu quả:
28%
sóng hài:
10dBc
Phát xạ giả:
60dBc
Đầu vào VSWR:
2:1
Kết nối đầu ra RF:
SMA
Số lượng đặt hàng tối thiểu:
1
Giá bán:
$220
Mô tả sản phẩm
GaN Power Amplifier 50W 6500-7200MHz Integrated Signal Generator High Stability RF Power Module cho hệ thống tín hiệu không dây
Thông số
Đơn vị
Tối thiểu.
Điển hình
Tối đa.
Ký hiệu
Tần số hoạt động
MHz
6500–6700, 6700–6900, 6900–7200
Băng thông
MHz
-
200
-
BW
Công suất đầu ra đỉnh (tín hiệu CW)
W
-
50
-
PSAT
Hiệu suất
%
-
28
-
EFF
Hài âm (lần 1–N, @70W)
dBc
10
-
-
HN
Phát xạ giả
dBc
60
-
-
Spur
VSWR đầu vào
-
-
-
2:1
VSWR
VSWR đầu ra
-
-
-
2:1
VSWR
Điện áp hoạt động
V
28
-
-
VDC
Tiêu thụ dòng điện
A
5.5
-
-
IDC
Thông số
Đơn vị
Điển hình
Cân nặng
kg
0.4
Kích thước
mm
132 × 53 × 17
Đầu nối RF
-
Đầu ra RF: SMA female
Đầu nối DC
-
Nguồn điện: Tụ lọc đầu vào đực
Phương pháp làm mát
-
Yêu cầu tản nhiệt ngoài
GaN Power Amplifier 50W 6500-7200MHz Integrated Signal Generator High Stability RF Power Module cho hệ thống tín hiệu không dây
GaN Power Amplifier 50W 6500-7200MHz Integrated Signal Generator High Stability RF Power Module cho hệ thống tín hiệu không dây
GaN Power Amplifier 50W 6500-7200MHz Integrated Signal Generator High Stability RF Power Module cho hệ thống tín hiệu không dây
GaN Power Amplifier 50W 6500-7200MHz Integrated Signal Generator High Stability RF Power Module cho hệ thống tín hiệu không dây
GaN Power Amplifier 50W 6500-7200MHz Integrated Signal Generator High Stability RF Power Module cho hệ thống tín hiệu không dây
GaN Power Amplifier 50W 6500-7200MHz Integrated Signal Generator High Stability RF Power Module cho hệ thống tín hiệu không dây
Hỏi đáp

Tiêu chí lựa chọn transistor khuếch đại công suất là gì?

Phù hợp băng tần, công suất, điện áp/dòng điện và vỏ bọc; Vật liệu phổ biến: GaN, LDMOS.

Làm thế nào để đáp ứng các yêu cầu ứng dụng khác nhau?

5G yêu cầu độ tuyến tính cao và băng thông rộng; radar ưu tiên phản hồi xung và độ ổn định; thiết bị công nghiệp nhấn mạnh tản nhiệt và độ tin cậy. Các giải pháp được tùy chỉnh cho các tình huống cụ thể (trạm gốc, vệ tinh, v.v.).

Làm thế nào để đạt được khả năng tương thích đa băng tần?

Điều này đạt được thông qua thiết kế mạch phối hợp băng rộng hoặc các giải pháp mô-đun, tùy chỉnh theo yêu cầu tần số của khách hàng.