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GaN Amplificador de potencia 50W 6500-7200MHz Generador de señal integrado Módulo de energía RF de alta estabilidad para sistemas de señal inalámbrica

GaN Amplificador de potencia 50W 6500-7200MHz Generador de señal integrado Módulo de energía RF de alta estabilidad para sistemas de señal inalámbrica

Moq: 1
Precio: $220
Información Detallada
Lugar de origen
Cantón, China
Nombre de la marca
TTSK
Número de modelo
TTSK-TG-GaN-50W
Tipo:
Módulo de RF
Tipo de proveedor:
Fábrica directa
Tipo de aplicación:
antidron
Tipo de interfaz:
AME
Temperatura de funcionamiento:
-20 ~ 85
Consumo de energía:
50W
Dimensiones:
132*53*17, 132*53*17
Tensión - Suministro:
>4A@+28VCC
Garantía:
1 año
Rango de frecuencia:
6500-7200MHz
Tensión de funcionamiento:
28V
Potencia de salida:
50W
Eficiencia:
28%
Armónicos:
10 dBc
Emisión espuria:
60dBc
Input VSWR:
2:1
Conector de salida de RF:
AME
Descripción del Producto
GaN Amplificador de potencia 50W 6500-7200MHz Generador de señal integrado Módulo de energía RF de alta estabilidad para sistemas de señal inalámbrica
Parámetro
Unidad
- ¿Qué es eso?
Es un tipo.
- ¿Qué quieres decir?
El símbolo
Frecuencia de funcionamiento
frecuencia de radio
6500 ¥6700, 6700 ¥6900, 6900 ¥7200
Ancho de banda
frecuencia de radio
-
200
-
BW
Potencia máxima de salida (señal CW)
No
-
50
-
El PSAT
Eficiencia
%
-
28
-
El FEP
Armónicos (1°°, @70W)
Dbc
10
-
-
HN
Emisión espuria
Dbc
60
-
-
Espuela
Input VSWR
-
-
-
2:1
VRSR
VSWR de salida
-
-
-
2:1
VRSR
Voltado de funcionamiento
V.
28
-
-
VDC
Consumo actual
A. No
5.5
-
-
El IDC
Parámetro
Unidad
Es un tipo.
Peso
En kg
0.4
Las dimensiones
En el caso de los
El número de unidades de producción
Conector de RF
-
Salida de RF: SMA femenina
Conector de corriente continua
-
Fuente de alimentación: condensador de alimentación masculino
Método de enfriamiento
-
Se requiere un disipador de calor externo
GaN Amplificador de potencia 50W 6500-7200MHz Generador de señal integrado Módulo de energía RF de alta estabilidad para sistemas de señal inalámbrica
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Preguntas frecuentes

¿Cuáles son los criterios para seleccionar transistores amplificadores de potencia?

Banda de frecuencia, potencia, voltaje/corriente y embalaje correspondientes; Materiales comunes: GaN, LDMOS.

¿Cómo cumplir con los diferentes requisitos de solicitud?

La 5G requiere una alta linealidad y un ancho de banda amplio; el radar prioriza la respuesta al pulso y la estabilidad; los equipos industriales enfatizan la disipación de calor y la fiabilidad.Las soluciones se adaptan a escenarios específicos (estaciones base, satélites, etc.).

¿Cómo lograr la compatibilidad multibanda?

Esto se logra mediante el diseño de redes de correspondencia de banda ancha o soluciones modulares, personalizadas para los requisitos de frecuencia del cliente.
Productos
DETALLES DE PRODUCTOS
GaN Amplificador de potencia 50W 6500-7200MHz Generador de señal integrado Módulo de energía RF de alta estabilidad para sistemas de señal inalámbrica
Moq: 1
Precio: $220
Información Detallada
Lugar de origen
Cantón, China
Nombre de la marca
TTSK
Número de modelo
TTSK-TG-GaN-50W
Tipo:
Módulo de RF
Tipo de proveedor:
Fábrica directa
Tipo de aplicación:
antidron
Tipo de interfaz:
AME
Temperatura de funcionamiento:
-20 ~ 85
Consumo de energía:
50W
Dimensiones:
132*53*17, 132*53*17
Tensión - Suministro:
>4A@+28VCC
Garantía:
1 año
Rango de frecuencia:
6500-7200MHz
Tensión de funcionamiento:
28V
Potencia de salida:
50W
Eficiencia:
28%
Armónicos:
10 dBc
Emisión espuria:
60dBc
Input VSWR:
2:1
Conector de salida de RF:
AME
Cantidad de orden mínima:
1
Precio:
$220
Descripción del Producto
GaN Amplificador de potencia 50W 6500-7200MHz Generador de señal integrado Módulo de energía RF de alta estabilidad para sistemas de señal inalámbrica
Parámetro
Unidad
- ¿Qué es eso?
Es un tipo.
- ¿Qué quieres decir?
El símbolo
Frecuencia de funcionamiento
frecuencia de radio
6500 ¥6700, 6700 ¥6900, 6900 ¥7200
Ancho de banda
frecuencia de radio
-
200
-
BW
Potencia máxima de salida (señal CW)
No
-
50
-
El PSAT
Eficiencia
%
-
28
-
El FEP
Armónicos (1°°, @70W)
Dbc
10
-
-
HN
Emisión espuria
Dbc
60
-
-
Espuela
Input VSWR
-
-
-
2:1
VRSR
VSWR de salida
-
-
-
2:1
VRSR
Voltado de funcionamiento
V.
28
-
-
VDC
Consumo actual
A. No
5.5
-
-
El IDC
Parámetro
Unidad
Es un tipo.
Peso
En kg
0.4
Las dimensiones
En el caso de los
El número de unidades de producción
Conector de RF
-
Salida de RF: SMA femenina
Conector de corriente continua
-
Fuente de alimentación: condensador de alimentación masculino
Método de enfriamiento
-
Se requiere un disipador de calor externo
GaN Amplificador de potencia 50W 6500-7200MHz Generador de señal integrado Módulo de energía RF de alta estabilidad para sistemas de señal inalámbrica
GaN Amplificador de potencia 50W 6500-7200MHz Generador de señal integrado Módulo de energía RF de alta estabilidad para sistemas de señal inalámbrica
GaN Amplificador de potencia 50W 6500-7200MHz Generador de señal integrado Módulo de energía RF de alta estabilidad para sistemas de señal inalámbrica
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GaN Amplificador de potencia 50W 6500-7200MHz Generador de señal integrado Módulo de energía RF de alta estabilidad para sistemas de señal inalámbrica
Preguntas frecuentes

¿Cuáles son los criterios para seleccionar transistores amplificadores de potencia?

Banda de frecuencia, potencia, voltaje/corriente y embalaje correspondientes; Materiales comunes: GaN, LDMOS.

¿Cómo cumplir con los diferentes requisitos de solicitud?

La 5G requiere una alta linealidad y un ancho de banda amplio; el radar prioriza la respuesta al pulso y la estabilidad; los equipos industriales enfatizan la disipación de calor y la fiabilidad.Las soluciones se adaptan a escenarios específicos (estaciones base, satélites, etc.).

¿Cómo lograr la compatibilidad multibanda?

Esto se logra mediante el diseño de redes de correspondencia de banda ancha o soluciones modulares, personalizadas para los requisitos de frecuencia del cliente.