logo
สินค้า
รายละเอียดสินค้า
บ้าน > สินค้า >
GaN Power Amplifier 50W 6500-7200MHz Integrated Signal Generator ความมั่นคงสูง โมดูลพลังงาน RF สําหรับระบบสัญญาณไร้สาย

GaN Power Amplifier 50W 6500-7200MHz Integrated Signal Generator ความมั่นคงสูง โมดูลพลังงาน RF สําหรับระบบสัญญาณไร้สาย

MOQ: 1
ราคา: $220
ข้อมูลรายละเอียด
สถานที่กำเนิด
กวางตุ้ง, จีน
ชื่อแบรนด์
TTSK
หมายเลขรุ่น
TTSK-TG-GaN-50W
พิมพ์:
โมดูล RF
ประเภทซัพพลายเออร์:
โรงงานโดยตรง
ประเภทแอปพลิเคชัน:
ต่อต้านโดรน
ประเภทอินเทอร์เฟซ:
สมา
อุณหภูมิในการทำงาน:
-20 ~ 85
การใช้พลังงาน:
50W
ขนาด:
132*53*17, 132*53*17
แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน:
>4A@+28VDC
การรับประกัน:
1 ปี
ช่วงความถี่:
6500-7200MHz
แรงดันไฟฟ้าที่ใช้งาน:
28V
กำลังขับ:
50W
ประสิทธิภาพ:
28%
ฮาร์มอนิกส์:
10dBc
การปล่อยก๊าซปลอม:
60dBc
อินพุต VSWR:
2:1
เครื่องเชื่อมออก RF:
สมา
คำอธิบายผลิตภัณฑ์
GaN Power Amplifier 50W 6500-7200MHz Integrated Signal Generator ความมั่นคงสูง โมดูลพลังงาน RF สําหรับระบบสัญญาณไร้สาย
พารามิเตอร์
หน่วย
ขั้นต่ำ
ทั่วไป
สูงสุด
สัญลักษณ์
ความถี่ในการทำงาน
MHz
6500–6700, 6700–6900, 6900–7200
แบนด์วิดท์
MHz
-
200
-
BW
กำลังขับสูงสุด (สัญญาณ CW)
W
-
50
-
PSAT
ประสิทธิภาพ
%
-
28
-
EFF
ฮาร์มอนิกส์ (ครั้งที่ 1–N, @70W)
dBc
10
-
-
HN
การปล่อยคลื่นรบกวน
dBc
60
-
-
Spur
อัตราส่วนแรงดันไฟฟ้าที่ยืนอยู่ (VSWR) ขาเข้า
-
-
-
2:1
VSWR
อัตราส่วนแรงดันไฟฟ้าที่ยืนอยู่ (VSWR) ขาออก
-
-
-
2:1
VSWR
แรงดันไฟฟ้าในการทำงาน
V
28
-
-
VDC
การใช้กระแสไฟฟ้า
A
5.5
-
-
IDC
พารามิเตอร์
หน่วย
ทั่วไป
น้ำหนัก
กก.
0.4
ขนาด
มม.
132 × 53 × 17
ขั้วต่อ RF
-
เอาต์พุต RF: SMA female
ขั้วต่อ DC
-
แหล่งจ่ายไฟ: ตัวเก็บประจุแบบ Feedthrough male
วิธีการระบายความร้อน
-
ต้องใช้แผงระบายความร้อนภายนอก
GaN Power Amplifier 50W 6500-7200MHz Integrated Signal Generator ความมั่นคงสูง โมดูลพลังงาน RF สําหรับระบบสัญญาณไร้สาย
GaN Power Amplifier 50W 6500-7200MHz Integrated Signal Generator ความมั่นคงสูง โมดูลพลังงาน RF สําหรับระบบสัญญาณไร้สาย
GaN Power Amplifier 50W 6500-7200MHz Integrated Signal Generator ความมั่นคงสูง โมดูลพลังงาน RF สําหรับระบบสัญญาณไร้สาย
GaN Power Amplifier 50W 6500-7200MHz Integrated Signal Generator ความมั่นคงสูง โมดูลพลังงาน RF สําหรับระบบสัญญาณไร้สาย
GaN Power Amplifier 50W 6500-7200MHz Integrated Signal Generator ความมั่นคงสูง โมดูลพลังงาน RF สําหรับระบบสัญญาณไร้สาย
GaN Power Amplifier 50W 6500-7200MHz Integrated Signal Generator ความมั่นคงสูง โมดูลพลังงาน RF สําหรับระบบสัญญาณไร้สาย
คำถามที่พบบ่อย

เกณฑ์ในการเลือกทรานซิสเตอร์แอมพลิไฟเออร์กำลังคืออะไร?

การจับคู่ย่านความถี่, กำลัง, แรงดัน/กระแส, และบรรจุภัณฑ์; วัสดุทั่วไป: GaN, LDMOS.

จะตอบสนองความต้องการของแอปพลิเคชันที่แตกต่างกันได้อย่างไร?

5G ต้องการความเชิงเส้นสูงและแบนด์วิดท์กว้าง; เรดาร์ให้ความสำคัญกับการตอบสนองแบบพัลส์และความเสถียร; อุปกรณ์อุตสาหกรรมเน้นการระบายความร้อนและความน่าเชื่อถือ โซลูชันได้รับการปรับแต่งให้เข้ากับสถานการณ์เฉพาะ (สถานีฐาน, ดาวเทียม, ฯลฯ).

จะบรรลุความเข้ากันได้แบบหลายย่านความถี่ได้อย่างไร?

สิ่งนี้ทำได้โดยการออกแบบเครือข่ายการจับคู่แบบบรอดแบนด์หรือโซลูชันแบบโมดูลาร์ ซึ่งปรับแต่งตามข้อกำหนดความถี่ของลูกค้า.
สินค้าที่แนะนํา
สินค้า
รายละเอียดสินค้า
GaN Power Amplifier 50W 6500-7200MHz Integrated Signal Generator ความมั่นคงสูง โมดูลพลังงาน RF สําหรับระบบสัญญาณไร้สาย
MOQ: 1
ราคา: $220
ข้อมูลรายละเอียด
สถานที่กำเนิด
กวางตุ้ง, จีน
ชื่อแบรนด์
TTSK
หมายเลขรุ่น
TTSK-TG-GaN-50W
พิมพ์:
โมดูล RF
ประเภทซัพพลายเออร์:
โรงงานโดยตรง
ประเภทแอปพลิเคชัน:
ต่อต้านโดรน
ประเภทอินเทอร์เฟซ:
สมา
อุณหภูมิในการทำงาน:
-20 ~ 85
การใช้พลังงาน:
50W
ขนาด:
132*53*17, 132*53*17
แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน:
>4A@+28VDC
การรับประกัน:
1 ปี
ช่วงความถี่:
6500-7200MHz
แรงดันไฟฟ้าที่ใช้งาน:
28V
กำลังขับ:
50W
ประสิทธิภาพ:
28%
ฮาร์มอนิกส์:
10dBc
การปล่อยก๊าซปลอม:
60dBc
อินพุต VSWR:
2:1
เครื่องเชื่อมออก RF:
สมา
จำนวนสั่งซื้อขั้นต่ำ:
1
ราคา:
$220
คำอธิบายผลิตภัณฑ์
GaN Power Amplifier 50W 6500-7200MHz Integrated Signal Generator ความมั่นคงสูง โมดูลพลังงาน RF สําหรับระบบสัญญาณไร้สาย
พารามิเตอร์
หน่วย
ขั้นต่ำ
ทั่วไป
สูงสุด
สัญลักษณ์
ความถี่ในการทำงาน
MHz
6500–6700, 6700–6900, 6900–7200
แบนด์วิดท์
MHz
-
200
-
BW
กำลังขับสูงสุด (สัญญาณ CW)
W
-
50
-
PSAT
ประสิทธิภาพ
%
-
28
-
EFF
ฮาร์มอนิกส์ (ครั้งที่ 1–N, @70W)
dBc
10
-
-
HN
การปล่อยคลื่นรบกวน
dBc
60
-
-
Spur
อัตราส่วนแรงดันไฟฟ้าที่ยืนอยู่ (VSWR) ขาเข้า
-
-
-
2:1
VSWR
อัตราส่วนแรงดันไฟฟ้าที่ยืนอยู่ (VSWR) ขาออก
-
-
-
2:1
VSWR
แรงดันไฟฟ้าในการทำงาน
V
28
-
-
VDC
การใช้กระแสไฟฟ้า
A
5.5
-
-
IDC
พารามิเตอร์
หน่วย
ทั่วไป
น้ำหนัก
กก.
0.4
ขนาด
มม.
132 × 53 × 17
ขั้วต่อ RF
-
เอาต์พุต RF: SMA female
ขั้วต่อ DC
-
แหล่งจ่ายไฟ: ตัวเก็บประจุแบบ Feedthrough male
วิธีการระบายความร้อน
-
ต้องใช้แผงระบายความร้อนภายนอก
GaN Power Amplifier 50W 6500-7200MHz Integrated Signal Generator ความมั่นคงสูง โมดูลพลังงาน RF สําหรับระบบสัญญาณไร้สาย
GaN Power Amplifier 50W 6500-7200MHz Integrated Signal Generator ความมั่นคงสูง โมดูลพลังงาน RF สําหรับระบบสัญญาณไร้สาย
GaN Power Amplifier 50W 6500-7200MHz Integrated Signal Generator ความมั่นคงสูง โมดูลพลังงาน RF สําหรับระบบสัญญาณไร้สาย
GaN Power Amplifier 50W 6500-7200MHz Integrated Signal Generator ความมั่นคงสูง โมดูลพลังงาน RF สําหรับระบบสัญญาณไร้สาย
GaN Power Amplifier 50W 6500-7200MHz Integrated Signal Generator ความมั่นคงสูง โมดูลพลังงาน RF สําหรับระบบสัญญาณไร้สาย
GaN Power Amplifier 50W 6500-7200MHz Integrated Signal Generator ความมั่นคงสูง โมดูลพลังงาน RF สําหรับระบบสัญญาณไร้สาย
คำถามที่พบบ่อย

เกณฑ์ในการเลือกทรานซิสเตอร์แอมพลิไฟเออร์กำลังคืออะไร?

การจับคู่ย่านความถี่, กำลัง, แรงดัน/กระแส, และบรรจุภัณฑ์; วัสดุทั่วไป: GaN, LDMOS.

จะตอบสนองความต้องการของแอปพลิเคชันที่แตกต่างกันได้อย่างไร?

5G ต้องการความเชิงเส้นสูงและแบนด์วิดท์กว้าง; เรดาร์ให้ความสำคัญกับการตอบสนองแบบพัลส์และความเสถียร; อุปกรณ์อุตสาหกรรมเน้นการระบายความร้อนและความน่าเชื่อถือ โซลูชันได้รับการปรับแต่งให้เข้ากับสถานการณ์เฉพาะ (สถานีฐาน, ดาวเทียม, ฯลฯ).

จะบรรลุความเข้ากันได้แบบหลายย่านความถี่ได้อย่างไร?

สิ่งนี้ทำได้โดยการออกแบบเครือข่ายการจับคู่แบบบรอดแบนด์หรือโซลูชันแบบโมดูลาร์ ซึ่งปรับแต่งตามข้อกำหนดความถี่ของลูกค้า.