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Tatusky 50W GaN RF Power Amplifier 6500-7200MHz Modulo de RF inalámbrico de alta eficiencia para sistemas de defensa

Tatusky 50W GaN RF Power Amplifier 6500-7200MHz Modulo de RF inalámbrico de alta eficiencia para sistemas de defensa

Moq: 1
Precio: €220.24
Información Detallada
Lugar de origen
Cantón, China
Nombre de la marca
TTSK
Número de modelo
TTSK-TG-GAN-50W
Tipo:
Módulo de RF
Tipo de aplicación:
sistema de defensa
Consumo de energía:
50W
Dimensiones:
170*94*26,5 mm
Garantía:
1 año
Frecuencia:
6500~6700, 6700~6900, 6900~7200Mhz
Nombre del producto:
Módulo RF de 50W
Marca:
Tatusky
Envío por:
DHL\UPS\Fedex\EMS\HK Post\Más
Pago:
Paypal\TT\Western Union\Garantía comercial
Tamaño:
170*94*26,5 mm
Función:
Productos inalámbricos
Fuerza:
50W
Plazo de entrega:
1-3 días laborables
Descripción del Producto
Tatusky 50W GaN RF Power Amplifier 6500-7200MHz Modulo de RF inalámbrico de alta eficiencia para sistemas de defensa
Parámetro
Unidad
Mín.
Típ.
Máx.
Símbolo
Frecuencia de operación
MHz
6500–6700, 6700–6900, 6900–7200
Ancho de banda
MHz
-
200
-
BW
Potencia de salida pico (señal CW)
W
-
50
-
PSAT
Eficiencia
%
-
28
-
EFF
Armónicos (1º–Nº, @70W)
dBc
10
-
-
HN
Emisión espuria
dBc
60
-
-
Spur
VSWR de entrada
-
-
-
2:1
VSWR
VSWR de salida
-
-
-
2:1
VSWR
Voltaje de operación
V
28
-
-
VDC
Consumo de corriente
A
5.5
-
-
IDC
Parámetro
Unidad
Típ.
Peso
kg
0.4
Dimensiones
mm
132 × 53 × 17
Conector RF
-
Salida RF: SMA hembra
Conector DC
-
Fuente de alimentación: Condensador pasante macho
Método de enfriamiento
-
Se requiere disipador de calor externo
Tatusky 50W GaN RF Power Amplifier 6500-7200MHz Modulo de RF inalámbrico de alta eficiencia para sistemas de defensa
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Tatusky 50W GaN RF Power Amplifier 6500-7200MHz Modulo de RF inalámbrico de alta eficiencia para sistemas de defensa
Preguntas frecuentes

¿Cuáles son los criterios para seleccionar transistores amplificadores de potencia?

Banda de frecuencia coincidente, potencia, voltaje/corriente y encapsulado; Materiales comunes: GaN, LDMOS.

¿Cómo cumplir con diferentes requisitos de aplicación?

5G requiere alta linealidad y amplio ancho de banda; el radar prioriza la respuesta de pulso y la estabilidad; los equipos industriales enfatizan la disipación de calor y la fiabilidad. Las soluciones se adaptan a escenarios específicos (estaciones base, satélites, etc.).

¿Cómo lograr compatibilidad multibanda?

Esto se logra mediante el diseño de redes de adaptación de banda ancha o soluciones modulares, personalizadas según los requisitos de frecuencia del cliente.
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DETALLES DE PRODUCTOS
Tatusky 50W GaN RF Power Amplifier 6500-7200MHz Modulo de RF inalámbrico de alta eficiencia para sistemas de defensa
Moq: 1
Precio: €220.24
Información Detallada
Lugar de origen
Cantón, China
Nombre de la marca
TTSK
Número de modelo
TTSK-TG-GAN-50W
Tipo:
Módulo de RF
Tipo de aplicación:
sistema de defensa
Consumo de energía:
50W
Dimensiones:
170*94*26,5 mm
Garantía:
1 año
Frecuencia:
6500~6700, 6700~6900, 6900~7200Mhz
Nombre del producto:
Módulo RF de 50W
Marca:
Tatusky
Envío por:
DHL\UPS\Fedex\EMS\HK Post\Más
Pago:
Paypal\TT\Western Union\Garantía comercial
Tamaño:
170*94*26,5 mm
Función:
Productos inalámbricos
Fuerza:
50W
Plazo de entrega:
1-3 días laborables
Cantidad de orden mínima:
1
Precio:
€220.24
Descripción del Producto
Tatusky 50W GaN RF Power Amplifier 6500-7200MHz Modulo de RF inalámbrico de alta eficiencia para sistemas de defensa
Parámetro
Unidad
Mín.
Típ.
Máx.
Símbolo
Frecuencia de operación
MHz
6500–6700, 6700–6900, 6900–7200
Ancho de banda
MHz
-
200
-
BW
Potencia de salida pico (señal CW)
W
-
50
-
PSAT
Eficiencia
%
-
28
-
EFF
Armónicos (1º–Nº, @70W)
dBc
10
-
-
HN
Emisión espuria
dBc
60
-
-
Spur
VSWR de entrada
-
-
-
2:1
VSWR
VSWR de salida
-
-
-
2:1
VSWR
Voltaje de operación
V
28
-
-
VDC
Consumo de corriente
A
5.5
-
-
IDC
Parámetro
Unidad
Típ.
Peso
kg
0.4
Dimensiones
mm
132 × 53 × 17
Conector RF
-
Salida RF: SMA hembra
Conector DC
-
Fuente de alimentación: Condensador pasante macho
Método de enfriamiento
-
Se requiere disipador de calor externo
Tatusky 50W GaN RF Power Amplifier 6500-7200MHz Modulo de RF inalámbrico de alta eficiencia para sistemas de defensa
Tatusky 50W GaN RF Power Amplifier 6500-7200MHz Modulo de RF inalámbrico de alta eficiencia para sistemas de defensa
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Tatusky 50W GaN RF Power Amplifier 6500-7200MHz Modulo de RF inalámbrico de alta eficiencia para sistemas de defensa
Preguntas frecuentes

¿Cuáles son los criterios para seleccionar transistores amplificadores de potencia?

Banda de frecuencia coincidente, potencia, voltaje/corriente y encapsulado; Materiales comunes: GaN, LDMOS.

¿Cómo cumplir con diferentes requisitos de aplicación?

5G requiere alta linealidad y amplio ancho de banda; el radar prioriza la respuesta de pulso y la estabilidad; los equipos industriales enfatizan la disipación de calor y la fiabilidad. Las soluciones se adaptan a escenarios específicos (estaciones base, satélites, etc.).

¿Cómo lograr compatibilidad multibanda?

Esto se logra mediante el diseño de redes de adaptación de banda ancha o soluciones modulares, personalizadas según los requisitos de frecuencia del cliente.