logo
Productos
DETALLES DE PRODUCTOS
Hogar > Productos >
Amplificador de potencia de RF GaN de banda ultra ancha de 100W anti-FPV

Amplificador de potencia de RF GaN de banda ultra ancha de 100W anti-FPV

Moq: 1
Precio: $2,450-2,550
Información Detallada
Lugar de origen
Cantón, China
Nombre de la marca
TTSK
Número de pieza del fabricante:
100W
Solicitud:
Módulo anti-FPV
Serie:
Gan, ¿ qué haces?
Tipo de montaje:
NO
Descripción:
Amplificador de potencia RF GaN
Ganar:
50dbm
Tensión - Suministro:
DC 32V
Actual - Oferta:
8.5-12A
Nombre del producto:
Módulo amplificador de potencia RF GaN
Frecuencia:
1500-6000MHz 2000-6000MHz
Fuerza:
100W
Personalización de frecuencia y potencia:
apoyo
voltaje de trabajo:
DC 32V
Tamaño:
170*77*24.5 mm
Temperatura de trabajo:
-10~+55℃
Peso:
690g
Código de fecha de fabricación:
2025
Descripción del Producto
Descripción de los productos
Amplificador de potencia de RF GaN de banda ultra ancha de 100W anti-FPV
Objetos de ensayo
Indicadores
Unidad
Nota
Rango de frecuencia
Entre 1500 y 6000
2000 a 2000
frecuencia de radio
Voltado de funcionamiento
32
V.
28 a 32 años
Potencia de salida máxima
100
No
100W@9.2A Típico
Rango de potencia de salida
90 a 120 años
No
28
Rango de corriente de salida
8.5 a 12
A. No
-
Eficiencia del amplificador
29
%
@100W
Ganancia máxima
45
Db
Ganancia de potencia máxima
Obtener un aspecto plano
≤ 5 años
Db
-
Potencia de entrada estándar
7
Dbm
-
Potencia máxima sin daños
≤ 10 años
Dbm
-
Input VSWR
≤ 2 años
Probado con el analizador de red sin fuente de alimentación
Amplificador de potencia de RF GaN de banda ultra ancha de 100W anti-FPV
Amplificador de potencia de RF GaN de banda ultra ancha de 100W anti-FPV
Amplificador de potencia de RF GaN de banda ultra ancha de 100W anti-FPV
Amplificador de potencia de RF GaN de banda ultra ancha de 100W anti-FPV
Amplificador de potencia de RF GaN de banda ultra ancha de 100W anti-FPV
Amplificador de potencia de RF GaN de banda ultra ancha de 100W anti-FPV
Aplicaciones en la industria
Amplificador de potencia de RF GaN de banda ultra ancha de 100W anti-FPV
Sobre la Compañía
Amplificador de potencia de RF GaN de banda ultra ancha de 100W anti-FPV
Preguntas frecuentes

¿Cuáles son los criterios para seleccionar transistores amplificadores de potencia?

Banda de frecuencia, potencia, voltaje/corriente y embalaje correspondientes; Materiales comunes: GaN, LDMOS.

¿Cómo cumplir con los diferentes requisitos de solicitud?

La 5G requiere una alta linealidad y un ancho de banda amplio; el radar prioriza la respuesta al pulso y la estabilidad; los equipos industriales enfatizan la disipación de calor y la fiabilidad.Las soluciones se adaptan a escenarios específicos (estaciones base, satélites, etc.).

¿Cómo lograr la compatibilidad multibanda?

Esto se logra mediante el diseño de redes de correspondencia de banda ancha o soluciones modulares, personalizadas para los requisitos de frecuencia del cliente.
Productos
DETALLES DE PRODUCTOS
Amplificador de potencia de RF GaN de banda ultra ancha de 100W anti-FPV
Moq: 1
Precio: $2,450-2,550
Información Detallada
Lugar de origen
Cantón, China
Nombre de la marca
TTSK
Número de pieza del fabricante:
100W
Solicitud:
Módulo anti-FPV
Serie:
Gan, ¿ qué haces?
Tipo de montaje:
NO
Descripción:
Amplificador de potencia RF GaN
Ganar:
50dbm
Tensión - Suministro:
DC 32V
Actual - Oferta:
8.5-12A
Nombre del producto:
Módulo amplificador de potencia RF GaN
Frecuencia:
1500-6000MHz 2000-6000MHz
Fuerza:
100W
Personalización de frecuencia y potencia:
apoyo
voltaje de trabajo:
DC 32V
Tamaño:
170*77*24.5 mm
Temperatura de trabajo:
-10~+55℃
Peso:
690g
Código de fecha de fabricación:
2025
Cantidad de orden mínima:
1
Precio:
$2,450-2,550
Descripción del Producto
Descripción de los productos
Amplificador de potencia de RF GaN de banda ultra ancha de 100W anti-FPV
Objetos de ensayo
Indicadores
Unidad
Nota
Rango de frecuencia
Entre 1500 y 6000
2000 a 2000
frecuencia de radio
Voltado de funcionamiento
32
V.
28 a 32 años
Potencia de salida máxima
100
No
100W@9.2A Típico
Rango de potencia de salida
90 a 120 años
No
28
Rango de corriente de salida
8.5 a 12
A. No
-
Eficiencia del amplificador
29
%
@100W
Ganancia máxima
45
Db
Ganancia de potencia máxima
Obtener un aspecto plano
≤ 5 años
Db
-
Potencia de entrada estándar
7
Dbm
-
Potencia máxima sin daños
≤ 10 años
Dbm
-
Input VSWR
≤ 2 años
Probado con el analizador de red sin fuente de alimentación
Amplificador de potencia de RF GaN de banda ultra ancha de 100W anti-FPV
Amplificador de potencia de RF GaN de banda ultra ancha de 100W anti-FPV
Amplificador de potencia de RF GaN de banda ultra ancha de 100W anti-FPV
Amplificador de potencia de RF GaN de banda ultra ancha de 100W anti-FPV
Amplificador de potencia de RF GaN de banda ultra ancha de 100W anti-FPV
Amplificador de potencia de RF GaN de banda ultra ancha de 100W anti-FPV
Aplicaciones en la industria
Amplificador de potencia de RF GaN de banda ultra ancha de 100W anti-FPV
Sobre la Compañía
Amplificador de potencia de RF GaN de banda ultra ancha de 100W anti-FPV
Preguntas frecuentes

¿Cuáles son los criterios para seleccionar transistores amplificadores de potencia?

Banda de frecuencia, potencia, voltaje/corriente y embalaje correspondientes; Materiales comunes: GaN, LDMOS.

¿Cómo cumplir con los diferentes requisitos de solicitud?

La 5G requiere una alta linealidad y un ancho de banda amplio; el radar prioriza la respuesta al pulso y la estabilidad; los equipos industriales enfatizan la disipación de calor y la fiabilidad.Las soluciones se adaptan a escenarios específicos (estaciones base, satélites, etc.).

¿Cómo lograr la compatibilidad multibanda?

Esto se logra mediante el diseño de redes de correspondencia de banda ancha o soluciones modulares, personalizadas para los requisitos de frecuencia del cliente.