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Ultrabreitband 100 W Anti-FPV Verteidigung GaN RF-Leistungsverstärker

Ultrabreitband 100 W Anti-FPV Verteidigung GaN RF-Leistungsverstärker

MOQ: 1
Preis: $2,450-2,550
Detailinformationen
Herkunftsort
Guangdong, China
Markenname
TTSK
Teilenummer des Herstellers:
100W
Anwendung:
Anti-FPV-Modul
Serie:
- Ich bin nicht hier.
Montageart:
NEIN
Beschreibung:
GaN HF-Leistungsverstärker
Gewinnen:
50 dbm
Spannung - Versorgung:
DC 32V
Strom – Versorgung:
8,5-12A
Produktname:
RF GaN Leistungsverstärkermodul
Frequenz:
1500-6000 MHz 2000-6000 MHz
Leistung:
100W
Frequenz- und Leistungsanpassung:
Unterstützung
Arbeitsspannung:
DC 32V
Größe:
170*77*24,5 mm
Arbeitstemperatur:
-10~+55℃
Gewicht:
690g
Herstellungsdatumscode:
2025
Produktbeschreibung
Produktbeschreibung
Ultrabreitband 100 W Anti-FPV Verteidigung GaN RF-Leistungsverstärker
Testartikel
Indikatoren
Einheit
Notiz
Frequenzbereich
1500-6000
2000-6000
MHz
Betriebsspannung
32
V
28-32
Maximale Ausgangsleistung
100
W
100 W bei 9,2 A typisch
Ausgangsleistungsbereich
90-120
W
28
Ausgangsstrombereich
8,5-12
A
-
Verstärkereffizienz
29
%
@100W
Maximaler Gewinn
45
db
Maximaler Kraftgewinn
Gewinnen Sie Flachheit
≤5
db
-
Standard-Eingangsleistung
7
dbm
-
Maximale unbeschädigte Leistung
≤10
dbm
-
Eingang VSWR
≤2
Getestet durch Netzwerkanalysator ohne Stromversorgung
Ultrabreitband 100 W Anti-FPV Verteidigung GaN RF-Leistungsverstärker
Ultrabreitband 100 W Anti-FPV Verteidigung GaN RF-Leistungsverstärker
Ultrabreitband 100 W Anti-FPV Verteidigung GaN RF-Leistungsverstärker
Ultrabreitband 100 W Anti-FPV Verteidigung GaN RF-Leistungsverstärker
Ultrabreitband 100 W Anti-FPV Verteidigung GaN RF-Leistungsverstärker
Ultrabreitband 100 W Anti-FPV Verteidigung GaN RF-Leistungsverstärker
Branchenanwendungen
Ultrabreitband 100 W Anti-FPV Verteidigung GaN RF-Leistungsverstärker
Über das Unternehmen
Ultrabreitband 100 W Anti-FPV Verteidigung GaN RF-Leistungsverstärker
FAQ

Nach welchen Kriterien werden Leistungsverstärkertransistoren ausgewählt?

Passendes Frequenzband, Leistung, Spannung/Strom und Verpackung; Gängige Materialien: GaN, LDMOS.

Wie erfüllt man unterschiedliche Bewerbungsanforderungen?

5G erfordert eine hohe Linearität und große Bandbreite; Radar priorisiert Impulsantwort und Stabilität; Industrieanlagen legen Wert auf Wärmeableitung und Zuverlässigkeit. Die Lösungen sind auf bestimmte Szenarien (Basisstationen, Satelliten usw.) zugeschnitten.

Wie erreicht man Multiband-Kompatibilität?

Dies wird durch ein breitbandiges passendes Netzwerkdesign oder modulare Lösungen erreicht, die an die Frequenzanforderungen des Kunden angepasst werden.
Produkte
EINZELHEITEN ZU DEN PRODUKTEN
Ultrabreitband 100 W Anti-FPV Verteidigung GaN RF-Leistungsverstärker
MOQ: 1
Preis: $2,450-2,550
Detailinformationen
Herkunftsort
Guangdong, China
Markenname
TTSK
Teilenummer des Herstellers:
100W
Anwendung:
Anti-FPV-Modul
Serie:
- Ich bin nicht hier.
Montageart:
NEIN
Beschreibung:
GaN HF-Leistungsverstärker
Gewinnen:
50 dbm
Spannung - Versorgung:
DC 32V
Strom – Versorgung:
8,5-12A
Produktname:
RF GaN Leistungsverstärkermodul
Frequenz:
1500-6000 MHz 2000-6000 MHz
Leistung:
100W
Frequenz- und Leistungsanpassung:
Unterstützung
Arbeitsspannung:
DC 32V
Größe:
170*77*24,5 mm
Arbeitstemperatur:
-10~+55℃
Gewicht:
690g
Herstellungsdatumscode:
2025
Min Bestellmenge:
1
Preis:
$2,450-2,550
Produktbeschreibung
Produktbeschreibung
Ultrabreitband 100 W Anti-FPV Verteidigung GaN RF-Leistungsverstärker
Testartikel
Indikatoren
Einheit
Notiz
Frequenzbereich
1500-6000
2000-6000
MHz
Betriebsspannung
32
V
28-32
Maximale Ausgangsleistung
100
W
100 W bei 9,2 A typisch
Ausgangsleistungsbereich
90-120
W
28
Ausgangsstrombereich
8,5-12
A
-
Verstärkereffizienz
29
%
@100W
Maximaler Gewinn
45
db
Maximaler Kraftgewinn
Gewinnen Sie Flachheit
≤5
db
-
Standard-Eingangsleistung
7
dbm
-
Maximale unbeschädigte Leistung
≤10
dbm
-
Eingang VSWR
≤2
Getestet durch Netzwerkanalysator ohne Stromversorgung
Ultrabreitband 100 W Anti-FPV Verteidigung GaN RF-Leistungsverstärker
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Ultrabreitband 100 W Anti-FPV Verteidigung GaN RF-Leistungsverstärker
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Über das Unternehmen
Ultrabreitband 100 W Anti-FPV Verteidigung GaN RF-Leistungsverstärker
FAQ

Nach welchen Kriterien werden Leistungsverstärkertransistoren ausgewählt?

Passendes Frequenzband, Leistung, Spannung/Strom und Verpackung; Gängige Materialien: GaN, LDMOS.

Wie erfüllt man unterschiedliche Bewerbungsanforderungen?

5G erfordert eine hohe Linearität und große Bandbreite; Radar priorisiert Impulsantwort und Stabilität; Industrieanlagen legen Wert auf Wärmeableitung und Zuverlässigkeit. Die Lösungen sind auf bestimmte Szenarien (Basisstationen, Satelliten usw.) zugeschnitten.

Wie erreicht man Multiband-Kompatibilität?

Dies wird durch ein breitbandiges passendes Netzwerkdesign oder modulare Lösungen erreicht, die an die Frequenzanforderungen des Kunden angepasst werden.