logo
Các sản phẩm
Chi tiết sản phẩm
Nhà > Các sản phẩm >
100W GaN Lora Power Amplifier Module 2000~2700MHz RF hiệu suất cao thiết kế biến dạng thấp cho các thiết bị truyền thông

100W GaN Lora Power Amplifier Module 2000~2700MHz RF hiệu suất cao thiết kế biến dạng thấp cho các thiết bị truyền thông

MOQ: 1
Giá: $150-170
Thông tin chi tiết
Nguồn gốc
Trung Quốc
Hàng hiệu
Tatusky
Số bộ phận của nhà sản xuất:
TZ-KGAN 100w
Ứng dụng:
Hệ thống liên lạc tín hiệu RF và chống UAV
Đặc trưng:
Tích hợp bộ tạo tín hiệu hiệu suất cao
Kiểu lắp:
Lắp đặt cố định bằng vít
Sự miêu tả:
Mô-đun khuếch đại công suất rf
Tên sản phẩm:
Mô-đun RF 100W
Dải tần số:
2000~2700 MHz
Điện áp làm việc:
28V
Nhiệt độ môi trường làm việc:
-40~+55℃
Hỗ trợ mạng:
LTE
Tốc độ truyền dữ liệu:
60kbps
Màu sắc:
Bạc
Vật liệu:
Hợp kim nhôm
Kích thước:
29,7*131*15,5mm
Cân nặng:
500g
Mô tả sản phẩm
Mô tả sản phẩm
100W GaN Lora Power Amplifier Module 2000~2700MHz RF hiệu suất cao thiết kế biến dạng thấp cho các thiết bị truyền thông
Điểm
Thông số kỹ thuật
Đơn vị
Nhận xét
Phạm vi tần số
100-400
200-400
300-600
400-700
700-1020
MHz
Nguồn tín hiệu hiệu suất cao tích hợp
Điện áp hoạt động
28
V
24-32V
Lượng đầu ra tối đa
50
dBm
100W@≤7.8A
Hiệu suất tăng cường công suất
50
%
Hiệu suất điển hình
Lợi nhuận tối đa
45
dB
Tăng năng lượng tối đa
100W GaN Lora Power Amplifier Module 2000~2700MHz RF hiệu suất cao thiết kế biến dạng thấp cho các thiết bị truyền thông
100W GaN Lora Power Amplifier Module 2000~2700MHz RF hiệu suất cao thiết kế biến dạng thấp cho các thiết bị truyền thông
100W GaN Lora Power Amplifier Module 2000~2700MHz RF hiệu suất cao thiết kế biến dạng thấp cho các thiết bị truyền thông
100W GaN Lora Power Amplifier Module 2000~2700MHz RF hiệu suất cao thiết kế biến dạng thấp cho các thiết bị truyền thông
100W GaN Lora Power Amplifier Module 2000~2700MHz RF hiệu suất cao thiết kế biến dạng thấp cho các thiết bị truyền thông
100W GaN Lora Power Amplifier Module 2000~2700MHz RF hiệu suất cao thiết kế biến dạng thấp cho các thiết bị truyền thông
100W GaN Lora Power Amplifier Module 2000~2700MHz RF hiệu suất cao thiết kế biến dạng thấp cho các thiết bị truyền thông
Hồ sơ công ty
100W GaN Lora Power Amplifier Module 2000~2700MHz RF hiệu suất cao thiết kế biến dạng thấp cho các thiết bị truyền thông
100W GaN Lora Power Amplifier Module 2000~2700MHz RF hiệu suất cao thiết kế biến dạng thấp cho các thiết bị truyền thông
100W GaN Lora Power Amplifier Module 2000~2700MHz RF hiệu suất cao thiết kế biến dạng thấp cho các thiết bị truyền thông
100W GaN Lora Power Amplifier Module 2000~2700MHz RF hiệu suất cao thiết kế biến dạng thấp cho các thiết bị truyền thông
Bao bì sản phẩm
100W GaN Lora Power Amplifier Module 2000~2700MHz RF hiệu suất cao thiết kế biến dạng thấp cho các thiết bị truyền thông
Câu hỏi thường gặp
Q1: Bạn là một nhà máy hoặc công ty thương mại?
Chúng tôi là một nhà máy, nằm ở thành phố Đông Quảng, Trung Quốc. Chào mừng bạn đến thăm chúng tôi:)

Q2: Tại sao chọn chúng tôi?
Ưu điểm: hơn 10 năm kinh nghiệm trong ngành
Giá: giá cạnh tranh nhất
Chất lượng: kiểm tra phòng thí nghiệm nghiêm ngặt và kiểm tra chất lượng sản phẩm
Thời gian sản xuất: thường là 3-7 ngày làm việc
Sau khi bán hàng: kỹ sư chuyên nghiệp nhanh chóng giải quyết các vấn đề

Q3: Bạn có thể mua gì từ chúng tôi?
Mô-đun RF, Các sản phẩm hoàn chỉnh và các sản phẩm liên quan.

Q4.Quá trình đặt hàng là gì?
Truyền thông → Thanh toán → Sản xuất → Giao hàng

Q5: Làm thế nào về thời gian vận chuyển và phương pháp vận chuyển?
Nói chung, ngày giao hàng sẽ là 5-7 ngày làm việc cho số lượng mua bình thường. Nhưng nếu đặt hàng hàng loạt, xin vui lòng cho phép chúng tôi kiểm tra thêm. Chúng tôi hầu như hỗ trợ bất kỳ lô hàng bạn muốn.

Các sản phẩm
Chi tiết sản phẩm
100W GaN Lora Power Amplifier Module 2000~2700MHz RF hiệu suất cao thiết kế biến dạng thấp cho các thiết bị truyền thông
MOQ: 1
Giá: $150-170
Thông tin chi tiết
Nguồn gốc
Trung Quốc
Hàng hiệu
Tatusky
Số bộ phận của nhà sản xuất:
TZ-KGAN 100w
Ứng dụng:
Hệ thống liên lạc tín hiệu RF và chống UAV
Đặc trưng:
Tích hợp bộ tạo tín hiệu hiệu suất cao
Kiểu lắp:
Lắp đặt cố định bằng vít
Sự miêu tả:
Mô-đun khuếch đại công suất rf
Tên sản phẩm:
Mô-đun RF 100W
Dải tần số:
2000~2700 MHz
Điện áp làm việc:
28V
Nhiệt độ môi trường làm việc:
-40~+55℃
Hỗ trợ mạng:
LTE
Tốc độ truyền dữ liệu:
60kbps
Màu sắc:
Bạc
Vật liệu:
Hợp kim nhôm
Kích thước:
29,7*131*15,5mm
Cân nặng:
500g
Số lượng đặt hàng tối thiểu:
1
Giá bán:
$150-170
Mô tả sản phẩm
Mô tả sản phẩm
100W GaN Lora Power Amplifier Module 2000~2700MHz RF hiệu suất cao thiết kế biến dạng thấp cho các thiết bị truyền thông
Điểm
Thông số kỹ thuật
Đơn vị
Nhận xét
Phạm vi tần số
100-400
200-400
300-600
400-700
700-1020
MHz
Nguồn tín hiệu hiệu suất cao tích hợp
Điện áp hoạt động
28
V
24-32V
Lượng đầu ra tối đa
50
dBm
100W@≤7.8A
Hiệu suất tăng cường công suất
50
%
Hiệu suất điển hình
Lợi nhuận tối đa
45
dB
Tăng năng lượng tối đa
100W GaN Lora Power Amplifier Module 2000~2700MHz RF hiệu suất cao thiết kế biến dạng thấp cho các thiết bị truyền thông
100W GaN Lora Power Amplifier Module 2000~2700MHz RF hiệu suất cao thiết kế biến dạng thấp cho các thiết bị truyền thông
100W GaN Lora Power Amplifier Module 2000~2700MHz RF hiệu suất cao thiết kế biến dạng thấp cho các thiết bị truyền thông
100W GaN Lora Power Amplifier Module 2000~2700MHz RF hiệu suất cao thiết kế biến dạng thấp cho các thiết bị truyền thông
100W GaN Lora Power Amplifier Module 2000~2700MHz RF hiệu suất cao thiết kế biến dạng thấp cho các thiết bị truyền thông
100W GaN Lora Power Amplifier Module 2000~2700MHz RF hiệu suất cao thiết kế biến dạng thấp cho các thiết bị truyền thông
100W GaN Lora Power Amplifier Module 2000~2700MHz RF hiệu suất cao thiết kế biến dạng thấp cho các thiết bị truyền thông
Hồ sơ công ty
100W GaN Lora Power Amplifier Module 2000~2700MHz RF hiệu suất cao thiết kế biến dạng thấp cho các thiết bị truyền thông
100W GaN Lora Power Amplifier Module 2000~2700MHz RF hiệu suất cao thiết kế biến dạng thấp cho các thiết bị truyền thông
100W GaN Lora Power Amplifier Module 2000~2700MHz RF hiệu suất cao thiết kế biến dạng thấp cho các thiết bị truyền thông
100W GaN Lora Power Amplifier Module 2000~2700MHz RF hiệu suất cao thiết kế biến dạng thấp cho các thiết bị truyền thông
Bao bì sản phẩm
100W GaN Lora Power Amplifier Module 2000~2700MHz RF hiệu suất cao thiết kế biến dạng thấp cho các thiết bị truyền thông
Câu hỏi thường gặp
Q1: Bạn là một nhà máy hoặc công ty thương mại?
Chúng tôi là một nhà máy, nằm ở thành phố Đông Quảng, Trung Quốc. Chào mừng bạn đến thăm chúng tôi:)

Q2: Tại sao chọn chúng tôi?
Ưu điểm: hơn 10 năm kinh nghiệm trong ngành
Giá: giá cạnh tranh nhất
Chất lượng: kiểm tra phòng thí nghiệm nghiêm ngặt và kiểm tra chất lượng sản phẩm
Thời gian sản xuất: thường là 3-7 ngày làm việc
Sau khi bán hàng: kỹ sư chuyên nghiệp nhanh chóng giải quyết các vấn đề

Q3: Bạn có thể mua gì từ chúng tôi?
Mô-đun RF, Các sản phẩm hoàn chỉnh và các sản phẩm liên quan.

Q4.Quá trình đặt hàng là gì?
Truyền thông → Thanh toán → Sản xuất → Giao hàng

Q5: Làm thế nào về thời gian vận chuyển và phương pháp vận chuyển?
Nói chung, ngày giao hàng sẽ là 5-7 ngày làm việc cho số lượng mua bình thường. Nhưng nếu đặt hàng hàng loạt, xin vui lòng cho phép chúng tôi kiểm tra thêm. Chúng tôi hầu như hỗ trợ bất kỳ lô hàng bạn muốn.