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6500-7200MHz 50W パワーアンプ GaN テクノロジー 信号源内蔵 幅広く,高効率のRFモジュール

6500-7200MHz 50W パワーアンプ GaN テクノロジー 信号源内蔵 幅広く,高効率のRFモジュール

Moq: 1
価格: $220
詳細情報
起源の場所
広東省、中国
ブランド名
TTSK
モデル番号
TTSK-TG-GaN-50W
タイプ:
RFモジュール
サプライヤーの種類:
直接工場
アプリケーションタイプ:
アンチドローン
インターフェースの種類:
SMA
動作温度:
-20~85
消費電力:
50W
寸法:
132*53*17mm、132*53*17mm
電圧 - 電源:
+28VDC
冷却方法:
外部ヒートシンクが必要
周波数範囲:
6500~6700MHz、6700~6900MHz、6900~7200MHz
動作電圧:
28V
出力電力:
50W
偽の排出:
60dBc
入力 VSWR:
2:1
出力VSWR:
2:1
相対湿度 (冷却しない):
95%
消費電流:
5.5IDC
製品説明
6500-7200MHz 50W パワーアンプ GaN テクノロジー 信号源内蔵 幅広く,高効率のRFモジュール
パラメータ
単位
最小値
標準値
最大値
記号
動作周波数
MHz
6500~6700、6700~6900、6900~7200
帯域幅
MHz
-
200
-
BW
ピーク出力電力(CW信号)
W
-
50
-
PSAT
効率
%
-
28
-
EFF
高調波(第1~N次、@70W)
dBc
10
-
-
HN
スプリアスエミッション
dBc
60
-
-
Spur
入力VSWR
-
-
-
2:1
VSWR
出力VSWR
-
-
-
2:1
VSWR
動作電圧
V
28
-
-
VDC
電流消費量
A
5.5
-
-
IDC
パラメータ
単位
標準値
重量
kg
0.4
寸法
mm
132 × 53 × 17
RFコネクタ
-
RF出力:SMAメス
DCコネクタ
-
電源:フィードスルーコンデンサオス
冷却方法
-
外部ヒートシンクが必要です
6500-7200MHz 50W パワーアンプ GaN テクノロジー 信号源内蔵 幅広く,高効率のRFモジュール
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6500-7200MHz 50W パワーアンプ GaN テクノロジー 信号源内蔵 幅広く,高効率のRFモジュール
よくある質問

パワーアンプトランジスタを選択する際の基準は何ですか?

周波数帯域、電力、電圧/電流、パッケージのマッチング。一般的な材料:GaN、LDMOS。

異なるアプリケーション要件をどのように満たしますか?

5Gは高い線形性と広い帯域幅を必要とします。レーダーはパルス応答と安定性を優先します。産業機器は放熱と信頼性を重視します。ソリューションは、基地局、衛星などの特定のシナリオに合わせてカスタマイズされます。

マルチバンド互換性をどのように実現しますか?

これは、ブロードバンドマッチングネットワーク設計またはモジュール式ソリューションによって実現され、顧客の周波数要件に合わせてカスタマイズされます。
製品
製品の詳細
6500-7200MHz 50W パワーアンプ GaN テクノロジー 信号源内蔵 幅広く,高効率のRFモジュール
Moq: 1
価格: $220
詳細情報
起源の場所
広東省、中国
ブランド名
TTSK
モデル番号
TTSK-TG-GaN-50W
タイプ:
RFモジュール
サプライヤーの種類:
直接工場
アプリケーションタイプ:
アンチドローン
インターフェースの種類:
SMA
動作温度:
-20~85
消費電力:
50W
寸法:
132*53*17mm、132*53*17mm
電圧 - 電源:
+28VDC
冷却方法:
外部ヒートシンクが必要
周波数範囲:
6500~6700MHz、6700~6900MHz、6900~7200MHz
動作電圧:
28V
出力電力:
50W
偽の排出:
60dBc
入力 VSWR:
2:1
出力VSWR:
2:1
相対湿度 (冷却しない):
95%
消費電流:
5.5IDC
最小注文数量:
1
価格:
$220
製品説明
6500-7200MHz 50W パワーアンプ GaN テクノロジー 信号源内蔵 幅広く,高効率のRFモジュール
パラメータ
単位
最小値
標準値
最大値
記号
動作周波数
MHz
6500~6700、6700~6900、6900~7200
帯域幅
MHz
-
200
-
BW
ピーク出力電力(CW信号)
W
-
50
-
PSAT
効率
%
-
28
-
EFF
高調波(第1~N次、@70W)
dBc
10
-
-
HN
スプリアスエミッション
dBc
60
-
-
Spur
入力VSWR
-
-
-
2:1
VSWR
出力VSWR
-
-
-
2:1
VSWR
動作電圧
V
28
-
-
VDC
電流消費量
A
5.5
-
-
IDC
パラメータ
単位
標準値
重量
kg
0.4
寸法
mm
132 × 53 × 17
RFコネクタ
-
RF出力:SMAメス
DCコネクタ
-
電源:フィードスルーコンデンサオス
冷却方法
-
外部ヒートシンクが必要です
6500-7200MHz 50W パワーアンプ GaN テクノロジー 信号源内蔵 幅広く,高効率のRFモジュール
6500-7200MHz 50W パワーアンプ GaN テクノロジー 信号源内蔵 幅広く,高効率のRFモジュール
6500-7200MHz 50W パワーアンプ GaN テクノロジー 信号源内蔵 幅広く,高効率のRFモジュール
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6500-7200MHz 50W パワーアンプ GaN テクノロジー 信号源内蔵 幅広く,高効率のRFモジュール
よくある質問

パワーアンプトランジスタを選択する際の基準は何ですか?

周波数帯域、電力、電圧/電流、パッケージのマッチング。一般的な材料:GaN、LDMOS。

異なるアプリケーション要件をどのように満たしますか?

5Gは高い線形性と広い帯域幅を必要とします。レーダーはパルス応答と安定性を優先します。産業機器は放熱と信頼性を重視します。ソリューションは、基地局、衛星などの特定のシナリオに合わせてカスタマイズされます。

マルチバンド互換性をどのように実現しますか?

これは、ブロードバンドマッチングネットワーク設計またはモジュール式ソリューションによって実現され、顧客の周波数要件に合わせてカスタマイズされます。