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Module amplificateur de puissance RF GaN 50W 6500-7200MHz Source de signal intégrée Module RF large bande à haute efficacité pour le contrôle de signal UAV
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Module amplificateur de puissance RF GaN 50W 6500-7200MHz Source de signal intégrée Module RF large bande à haute efficacité pour le contrôle de signal UAV
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Module amplificateur de puissance RF GaN 50W 6500-7200MHz Source de signal intégrée Module RF large bande à haute efficacité pour le contrôle de signal UAV

MOQ: 1
Prix: $312.17
Informations détaillées
Description du produit
Informations détaillées
Lieu d'origine
Guangdong, Chine
Nom de marque
TTSK
Numéro de modèle
TTSK-TG-GaN-50W
Taper:
Module RF
Type de fournisseur:
Usine directe
Type d'application:
système anti-drones
Type d'interface:
SMA
Température de fonctionnement:
-20 ~ 85
Consommation d'énergie:
50W
Dimensions:
132*53*17, 132*53*17
Tension - Alimentation:
28VDC
Garantie:
1 an
Bandes de fréquences:
6 500-6 700 MHz, 6 700-6 900 MHz, 6 900-7 200 MHz
Tension de fonctionnement:
28V
Bande passante:
200MHz
Efficacité:
28%
Température de boîtier de fonctionnement:
-20 ~ 85
Poids:
0,4kg
Connecteur RF:
Sortie RF : SMA femelle
Connecteur CC:
Alimentation : condensateur de traversée mâle
Description du produit
Module amplificateur de puissance RF GaN 50W 6500-7200MHz Source de signal intégrée Module RF large bande à haute efficacité pour le contrôle de signal UAV
Paramètre
Unité
Min.
Typ.
Max.
Symbole
Fréquence de fonctionnement
MHz
6500–6700, 6700–6900, 6900–7200
Bande passante
MHz
-
200
-
BW
Puissance de sortie crête (signal CW)
W
-
50
-
PSAT
Efficacité
%
-
28
-
EFF
Harmoniques (1er–N, @70W)
dBc
10
-
-
HN
Émission parasite
dBc
60
-
-
Spur
VSWR d'entrée
-
-
-
2:1
VSWR
VSWR de sortie
-
-
-
2:1
VSWR
Tension de fonctionnement
V
28
-
-
VDC
Consommation de courant
A
5.5
-
-
IDC
Paramètre
Unité
Typ.
Poids
kg
0.4
Dimensions
mm
132 × 53 × 17
Connecteur RF
-
Sortie RF : SMA femelle
Connecteur CC
-
Alimentation : condensateur traversant mâle
Méthode de refroidissement
-
Dissipateur thermique externe requis
Module amplificateur de puissance RF GaN 50W 6500-7200MHz Source de signal intégrée Module RF large bande à haute efficacité pour le contrôle de signal UAV
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FAQ

Quels sont les critères de sélection des transistors d'amplificateur de puissance ?

Bande de fréquences, puissance, tension/courant et boîtier correspondants ; Matériaux courants : GaN, LDMOS.

Comment répondre aux différentes exigences d'application ?

La 5G nécessite une linéarité élevée et une large bande passante ; le radar privilégie la réponse impulsionnelle et la stabilité ; les équipements industriels mettent l'accent sur la dissipation thermique et la fiabilité. Les solutions sont adaptées aux scénarios spécifiques (stations de base, satellites, etc.).

Comment obtenir une compatibilité multibande ?

Ceci est réalisé grâce à une conception de réseau d'adaptation à large bande ou à des solutions modulaires, personnalisées selon les exigences de fréquence du client.
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MOQ: 1
Prix: $312.17
Informations détaillées
Description du produit
Informations détaillées
Lieu d'origine
Guangdong, Chine
Nom de marque
TTSK
Numéro de modèle
TTSK-TG-GaN-50W
Taper:
Module RF
Type de fournisseur:
Usine directe
Type d'application:
système anti-drones
Type d'interface:
SMA
Température de fonctionnement:
-20 ~ 85
Consommation d'énergie:
50W
Dimensions:
132*53*17, 132*53*17
Tension - Alimentation:
28VDC
Garantie:
1 an
Bandes de fréquences:
6 500-6 700 MHz, 6 700-6 900 MHz, 6 900-7 200 MHz
Tension de fonctionnement:
28V
Bande passante:
200MHz
Efficacité:
28%
Température de boîtier de fonctionnement:
-20 ~ 85
Poids:
0,4kg
Connecteur RF:
Sortie RF : SMA femelle
Connecteur CC:
Alimentation : condensateur de traversée mâle
Quantité de commande min:
1
Prix:
$312.17
Description du produit
Module amplificateur de puissance RF GaN 50W 6500-7200MHz Source de signal intégrée Module RF large bande à haute efficacité pour le contrôle de signal UAV
Paramètre
Unité
Min.
Typ.
Max.
Symbole
Fréquence de fonctionnement
MHz
6500–6700, 6700–6900, 6900–7200
Bande passante
MHz
-
200
-
BW
Puissance de sortie crête (signal CW)
W
-
50
-
PSAT
Efficacité
%
-
28
-
EFF
Harmoniques (1er–N, @70W)
dBc
10
-
-
HN
Émission parasite
dBc
60
-
-
Spur
VSWR d'entrée
-
-
-
2:1
VSWR
VSWR de sortie
-
-
-
2:1
VSWR
Tension de fonctionnement
V
28
-
-
VDC
Consommation de courant
A
5.5
-
-
IDC
Paramètre
Unité
Typ.
Poids
kg
0.4
Dimensions
mm
132 × 53 × 17
Connecteur RF
-
Sortie RF : SMA femelle
Connecteur CC
-
Alimentation : condensateur traversant mâle
Méthode de refroidissement
-
Dissipateur thermique externe requis
Module amplificateur de puissance RF GaN 50W 6500-7200MHz Source de signal intégrée Module RF large bande à haute efficacité pour le contrôle de signal UAV
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Quels sont les critères de sélection des transistors d'amplificateur de puissance ?

Bande de fréquences, puissance, tension/courant et boîtier correspondants ; Matériaux courants : GaN, LDMOS.

Comment répondre aux différentes exigences d'application ?

La 5G nécessite une linéarité élevée et une large bande passante ; le radar privilégie la réponse impulsionnelle et la stabilité ; les équipements industriels mettent l'accent sur la dissipation thermique et la fiabilité. Les solutions sont adaptées aux scénarios spécifiques (stations de base, satellites, etc.).

Comment obtenir une compatibilité multibande ?

Ceci est réalisé grâce à une conception de réseau d'adaptation à large bande ou à des solutions modulaires, personnalisées selon les exigences de fréquence du client.
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